报告题目：宽禁带半导体的生长机制和服役可靠性

报 告 人：黄兵 教授   北京计算科学研究中心

报告时间：2025年8月1日 11:00—12:00

报告地点：前沿交叉科学研究院报告厅  格物楼D118

报告摘要：宽禁带半导体具有重要的应用价值，因此得到了半导体学界和工业界的广泛关注。针对宽禁带半导体生长和服役过程中遇到的关键科学问题，我们进行了一系列初步探索。在本报告中，我们将首先介绍氮化物半导体在范德华衬底上的生长机制，并提出了一种全新的生长模式来理解其生长过程。其次，我们将介绍半导体在生长过程中存在的一种常见的一维结构缺陷-位错缺陷-的电子结构和生长动力学，提出了费米能级调控其生长动力学的全新机制。最后，我们将介绍一套计算非平衡态下半导体缺陷动力学演化的流程，并将此应用于碳化硅半导体进行验证。

个人简介：2005年于吉林大学物理学院获学士学位，2010年于清华大学物理系获博士学位。2010-2015年在美国再生能源国家实验室、橡树林国家实验室和犹他大学任博士后、研究助理或者研究助理教授。主要研究领域为半导体物理和计算凝聚态物理，集中在半导体中的缺陷理论发展和半导体中的新奇量子效应。研究成果多次发表在PRL、PRX、Nature Comm.、Science Advances、JACS、Nano Letters等国际学术期刊。

供稿审核：刘广强

编辑审核：王文志

终审：满忠晓