报告题目：磁性薄膜阈激发磁二色深紫外激光光发射电子显微术研究

报告人：王守国（北京科技大学材料科学与工程学院）

报告时间：2019年10月31日（周四）上午9点

报告地点：激光所报告厅

报告摘要：以调控电子自旋本征属性为基础的自旋电子学，是自1988年发现巨磁电阻效应（GMR）以来三十年来凝聚态物理、材料科学和信息科学的研究热点之一，研究领域主要包括新材料探索、物性研究、以及器件设计与开发等。随着隧穿磁电阻效应（TMR）、自旋转移矩效应（STT）、自旋塞贝克效应（Spin Seebeck）、磁性斯格明子（Skyrmions）等新现象、新效应和新结构的发现，自旋电子学材料获得了更加广泛的应用（例如计算机硬盘读写头、磁性随机存储器）。但随着超高磁信息存储技术的发展，自旋电子学也面临着材料和物理等方面的诸多挑战。

报告人首先简单介绍光发射电子显微镜（PEEM）的工作原理，如何利用PEEM技术对单晶磁性薄膜样品进行磁畴成像；随后重点介绍利用我国科学家独创的深紫外激光（波长：177.3 纳米、能量：7.0 eV，简称DUV激光）作为激发源在PEEM系统（简称为DUV-PEEM系统）中开展高分辨磁成像的最新进展；最后介绍DUV-PEEM系统在研究垂直各向异性的FePt磁性薄膜磁成像方面的最新进展。

附

王守国博士简介

王守国，男，安徽舒城人，北京科技大学材料科学与工程学院教授、博士生导师，国家杰出青年基金获得者。

1996年毕业于安徽大学，获理学学士学位；随后进入中科院固体物理研究所攻读博士学位，师从中国科技大学张裕恒院士（中科院固体物理所兼职教授），2001年毕业，获凝聚态物理博士学位。2001年至2007年，先后在新加坡国立大学物理系、德国马克思-普朗克微结构物理研究所、和英国牛津大学物理系从事研究工作。2007年底回国，加入中国科学院物理研究所磁学国家重点实验室；2016年1月调入北京科技大学材料科学与工程学院。

主持的项目主要包括：国家杰出青年基金；基金委重点项目；中科院仪器研制项目；科技部国家重大科学仪器设备开发专项子课题；科技部中国-以色列国际合作项目；基金委面上项目等。

目前担任中国电子学会应用磁学分会副主任委员兼秘书长；中国材料研究学会纳米材料与器件分会副秘书长；中国金属学会功能材料分会副秘书长；中国金属学会材料科学分会常务理事；中国材料研究学会青年工作委员会常务理事等。