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山东大学杨再兴教授来我院访问交流

信息来源: 暂无 发布日期: 2016-11-04 浏览次数:

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 2016年11月3日上午,山东大学杨再兴教授为我院师生作了题为“High performance III-V group semiconductor nanowires electronics”的学术报告。

 杨再兴教授围绕硅半导体器件性能接近极限的问题,开发了硫表面活性剂消除表面缺陷技术,合成了目前报道的最佳性能的GaSb纳米线新材料,为高性能微电子产品提供了材料保障;同时,瞄准纳米材料原位表征的技术难点,发明了基于多层接触印刷的原位组装与表征技术,揭示了GaAs纳米线表面缺陷对光伏性能的影响规律,以及不同生长方向的III-V纳米线的光伏特性。

 报告结束后,杨再兴教授与我院师生进行了热烈的交流和讨论,对我院研究生的成长起到了很好的激励作用。

 

附报告人简介:  

杨再兴,博士,山东大学教授、博士生导师、齐鲁青年学者。2007年在曲阜师范大学物理工程学院获学士学位,2012年在南京大学物理学院获博士学位,2012年9月至2016年9月在香港城市大学做博士后工作。2016年6月申请并通过山东大学“齐鲁青年学者”计划,并于10月入职山东大学微电子学院。主要研究低维半导体纳米材料的可控生长及光电性能。迄今为止,共发表SCI论文32篇,其中作为第一作者发表SCI论文16篇,一区期刊6篇,包括1篇Nat. Commun.,1篇ACS Nano,2篇Nanoscale,2篇ACS Appl. Mater. Inter.,影响因子3以上的论文13篇。已授权中国专利4项。受邀为多个SCI期刊审稿。